bet365亚洲官网班纳分校

李峰博士.D.

冯 李,Ph值.D., P.E.

Micron微电子学教授,NGeM主任,FIB/SEM主任

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电气与计算机工程
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  • Ph.D.他是威斯康星大学密尔沃基分校的教授
  • M.S.他是德克萨斯大学阿灵顿分校的教授
  • M.S.他是北京邮电大学的教授
  • B.S.中国海洋大学教授

  • ECE 310微电子学I
  • ec311微电子I实验室
  • 电磁学理论
  • ECE 331电磁学实验室
  • ECE 350信号与系统1
  • 信号与系统I实验室
  • ECE 418/518电子封装简介
  • ec445 VLSI设计简介
  • ECE 460半导体器件
  • ECE 465/565介绍微电子制造
  • ECE 480/482高级设计
  • ECE 481/483高级设计II

  • 半导体器件和集成电路设计
  • 微/纳米制造和电子封装
  • 超大规模集成电路设计和制造中的ML/AI

李峰毕业于美国威斯康辛大学密尔沃基分校,获电气工程博士学位, WI, 美国, in 2012. 他之前在杜克大学工作, 达勒姆, NC, 美国, 以及德克萨斯大学阿灵顿分校, TX, 美国. 他加入了bet365亚洲官网, 莫斯科, ID, 美国, 2014年任电子与计算机工程学院助理教授,2020年晋升副教授. 他于2022年被任命为微电子学教授. 主要研究方向为三维集成电路集成与封装, 硅和化合物半导体器件和集成电路, 和微/纳米制造. 李是IEEE的高级会员.

  • N. Totorica W. 胡,F. Li, 2nm节点不同结构栅极全能场效应管的仿真,《bet365亚洲官网》,卷. 6, no. 3, 2024. DOI: 10.1088/2631 - 8695 / ad62b0.
  • F. Li, “用于SiC集成电路的倒装芯片键合,带有金螺柱凸起,可用于高达600℃的高温应用," IEEE元件、封装与制造技术汇刊,卷. 14, no. 4, pp. 705-713, 2024年4月. DOI: 10.1109 / TCPMT.2024.3378679.
  • X. 陈,F. 李,H. 赫斯, 具有沟槽栅的增强模式β-Ga2O3垂直电流孔径mosfet的设计,IEEE Access,卷. 12, pp. 42791-42801, 2024. DOI: 10.1109 /访问.2024.3377563.
  • F. 李,B. Lamsal J. 史, “SiC晶片在氧化铝基板上的倒装键合,用于高温应用,2024 IEEE微电子与电子器件研讨会(WMED), 博伊西, ID, 美国, 2024, pp. 1-4, doi: 10.1109 / WMED61554.2024.10534140.
  • F. 李和J. 史, 高温3D SiC集成与封装的金属对金属倒装键合,2023 IEEE微电子与电子器件研讨会(WMED), 博伊西, ID, 美国, 2023, pp. 1-4, doi: 10.1109 / WMED58543.2023.10097447
  • X. 陈,F. Li和H. 赫斯,“壕栅β-Ga₂O₃mosfet:综述”, 工程研究快报,卷. 5, no. 1, pp. 2023年3月1日至14日. DOI: 10.1088/2631 - 8695 / acc00c
  • F. Li, “用于长时间高温应用的具有金线粘合互连的SiC集成电路芯片的3D堆叠”," IEEE元件、封装与制造技术汇刊,卷. 12, no. 10, pp. 1601-1608, 2022年10月. DOI: 10.1109 / TCPMT.2022.3210477
  • F. 李和S. Raveendran, 高温应用中基于线键合的三维SiC集成电路堆栈,2022年IEEE第72届电子元件与技术会议(ECTC), 圣地亚哥, CA, 美国, 2022, pp. 2023-2027, doi: 10.1109 / ECTC51906.2022.00319
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  • M. D. Cino和F. 李,“倒装晶圆对晶圆键合的回顾:与大规模生产的差距,” 半导体科学与信息器件,卷. 4, no. 1, pp. 8-13, 2022. DOI: 10.30564 /名称.v4i1.4474
  • W. 胡和F. Li, 超过7nm节点的缩放:栅极全能场效应管概述,2021年第九届下一代电子学国际研讨会(ISNE), pp. 1-6, doi: 10.1109 / ISNE48910.2021.9493305
  • M. Shawon和F. 李,“硅光子学的构建模块综述:从制造的角度来看,” 半导体科学与信息器件,卷. 1, no. 1, pp. 2019年10月29-35日.
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  • Y. 杨和F. 李,“医疗应用3D包装的最新进展”, 第19届国际电子封装技术会议(ICEPT), pp. 2018年8月,1193-1197.
  • Y. S. Wase和F. 李,“封装系统的技术回顾”, 第十五届器件封装国际会议暨展览会,卷. 2017, No. DPC,页. 2017年1月1-20日.
  • F. 李,问. 刘,D。. P. Klemer, 基于谱元法的高电子迁移率晶体管的数值模拟,” 应用计算电磁学学会学报,卷. 31, no. 10, pp. 1144-1150, 2016年10月.
  • F. 李,问. 刘,D. P. Klemer, GaAs/AlGaAs异质结器件中的等离子体共振效应:基于谱元模拟的分析,” IEEE电子设备汇刊,卷. 61, no. 5, pp. 1477-1482, 2014年5月.

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